منتجات
ليزر DIODE EXS SERIES بحجم 445 نانومتر
تعديل عالي التردد لليزر عالي الاستقرار
تعديل التردد السريع ،> 1 ميجا هرتز
تعديل عالي التردد ، نسبة العمل قابلة للتعديل
تعديل TTL ، تعديل تمثيلي اختياري
نسبة الانقراض عالية وسهلة للترميز
تصميم مضغوط ، مناسب للاستخدام
| الطول الموجي المركزي (نانومتر) | 445 ± 5 |
| وضع التشغيل | CW |
| انتاج الطاقة (ميغاواط) | > 1،2،3 ، ... ، 80 |
| استقرار الطاقة (rms ، over4hours) | <3٪ ، <2٪ ، <1٪ |
| الوضع المستعرض | قريب |
| ضوضاء السعة (جذر متوسط التربيع ، 20 هرتز ~ 20 ميجاهرتز) | <1٪ (<0.5٪ ، اختياري) |
| عامل M2 | <1.2 |
| قطر الشعاع عند الفتحة (1 / e2، مم) | ~ 1.2 |
| تباعد الشعاع ، Fullangle (مراد) | <1.0 |
| نسبة الاستقطاب | > 50: 1 (> 100: 1 ، اختياري) |
| أفقي ± 5 درجة (عمودي اختياري) | |
| وقت الاحماء (بالدقائق) | <5 |
| ارتفاع الشعاع من لوحة القاعدة (مم) | 19 |
| درجة حرارة التشغيل (℃) | 10 ~ 35 |
| جهد التشغيل | DC12V4A |
| تعديل | DMOD (TTL) حتى 1 ميجا هرتز |
| AMOD (تناظري) حتى 100 كيلو هرتز | |
| DMOD + AMOD (TTL + تناظري) | |
| العمر المتوقع (ساعات) | 10000 |
| ضمان | سنة واحدة |
اكتب رسالتك هنا وأرسلها إلينا
